襄陽(yáng)氧化鎂作為添加劑的應用
發(fā)表時(shí)間：2023-10-17
訪(fǎng)問(wèn)量：3629
a、添加適量MgO可以降低氧化鋁陶瓷的燒結溫度，抑制晶粒長(cháng)大，提高致密度。b、添加MgO，Mg加快了晶界擴散，對晶粒有一定的細化作用，致密度與力學(xué)性能較好。c、適量的MgO可以抑制晶界的快速移動(dòng)，使得氣孔排出比較完全，陶瓷更加致密，透過(guò)率較高。
隨著(zhù)高鐵、航空航天及軍工領(lǐng)域的大功率電子器件朝著(zhù)高溫、高頻和高集成度等方向發(fā)展，高效散熱成為迫切需求。大功率器件通過(guò)陶瓷覆銅板實(shí)現與外界的熱交換。目前主流的陶瓷基板有Si3N4、AlN和Al2O3三種，都需要采用MgO作為燒結助劑。尤其是對于綜合性能的Si3N4陶瓷，為避免Al2O3作為助劑產(chǎn)生的晶格缺陷增加聲子散射，MgO成為制備高導熱Si3N4陶瓷的燒結助劑，其使用量約為3%。Al2O3和ZrO2都具有耐高溫、耐磨損和較好的生物相容性等特性。以ZrO2增韌Al2O3制備ZTA納米復相陶瓷，可揚長(cháng)避短，充分發(fā)揮其集成優(yōu)勢，在航空航天、發(fā)動(dòng)機耐磨部件及人工股骨球頭等方面具有重要應用。MgO在ZTA陶瓷中的致密化及晶粒細化機制與其在A(yíng)l2O3中類(lèi)似，其使用量約為2%。采用均勻沉淀法將MgO均勻地包覆在BaTiO3基陶瓷粉體表面，能有效抑制晶粒長(cháng)大，從而獲得晶粒均勻的陶瓷，此細晶效應是由于晶界區MgO的抑制作用；MgO有助于形成“殼一芯”結構晶粒，降低并展寬BaTiO3基陶瓷的ε峰，增加電阻率和擊穿電壓強度。鈦酸鍶鋇(BST)鐵電陶瓷材料以它的高可調性和低介電損耗在作為相控陣中的移相器和微波頻率下的可調器件有非常好的應用前景。由于目前的各種鐵電材料均存在某些方面的不足，通過(guò)各種手段提高其綜合性能，成為鈦酸鍶鋇材料實(shí)現大規模應用必須解決的關(guān)鍵問(wèn)題。除了用稀土元素離子進(jìn)行A位摻雜取代， MgO、MgTiO3、Mg2SiO4等化合物加入到BST陶瓷和薄膜中也可以降低其介電常數和介電損耗。ZnO線(xiàn)性陶瓷電阻具有電阻率變化范圍大，通流密度大，非線(xiàn)性系數低，電阻溫度系數小的優(yōu)點(diǎn)，廣泛應用于電力-電子、交通、通信及家用電器等方面。傳統的ZnO復合陶瓷仍存在許多問(wèn)題，如結構均勻性差、工業(yè)生產(chǎn)重復率低、穩定性差、理論研究不充分等MgO的添加有助于改善ZnO陶瓷電阻的阻溫系數，適量的MgO可促進(jìn)燒結，提高陶瓷的致密度，但過(guò)量添加反而會(huì )使陶瓷致密度下降。
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